La font de llum LED més antiga, que utilitzava el principi d'emissió de llum-d'una unió P-N semiconductora, es va inventar a principis dels anys 60. El material utilitzat en aquell moment era GaAsP, que emetia llum vermella (λp=650nm). Amb un corrent de conducció de 20 mA, el flux lluminós era de només unes mil·lèsimes de lumen, donant lloc a una eficàcia lluminosa d'aproximadament 0,1 lumen/watt.
A mitjans de la dècada de 1970, la introducció dels elements In i N va permetre als LED produir llum verda (λp=555nm), groga (λp=590nm) i taronja (λp{=610nm) i l'eficàcia lluminosa es va millorar a 1 lumen/watt.
A principis de la dècada de 1980, van sorgir fonts de llum LED GaAlAs, que van permetre que els LED vermells assoleixin una eficàcia lluminosa de 10 lúmens/watt.
A principis de la dècada de 1990, el desenvolupament reeixit de dos nous materials-GaAlInP (que emet llum vermella i groga) i GaInN (que emet llum verda i blava)-va millorar significativament l'eficàcia lluminosa dels LED. L'any 2000, el primer va produir LED amb una eficàcia lluminosa de 100 lúmens per watt a les regions vermella i taronja (λp=615nm), mentre que el segon va produir LED amb una eficàcia lluminosa de 50 lúmens per watt a la regió verda (λp{{=530nm).
